Samsung планирует инвестировать 200 млрд долларов в новые заводы

Корпорация Samsung Electronics объявила о планах инвестировать почти 200 млрд долларов в строительство 11 новых заводов в Техасе (США) в ближайшие два десятилетия. Если южнокорейский гигант реализует задуманный проект, он сильно укрепит свои позиции на американском рынке чипов, считают обозреватели издания The Wall Street Journal.

Samsung подала документы на получение налоговых льгот в рамках запланированного строительства фабрик в Техасе. Первое из предприятий планируется ввести в эксплуатацию в 2034 году, а остальные - лишь к 2042-му. Корпорация рассчитывает создать в общей сложности 10 тысяч рабочих мест. Предполагается, что Samsung получит от властей налоговые льготы на общую сумму 4,8 млрд долларов.

"Обязательства и инвестиции Samsung относятся к собственному классу компании, - говорит Эд Латсон (Ed Latson), исполнительный директор Ассоциации региональных производителей Остина (Austin Regional Manufacturers Association). - Мы говорим о крупнейших иностранных инвестициях в США, они будут здесь, в нашем регионе. Это окажет огромное влияние на экономическое развитие и рост центрального Техаса".

Новости о планах Samsung появились незадолго до голосования американского Сената по законопроекту, предусматривающему субсидии общей стоимостью 50 млрд долларов для игроков полупроводниковой отрасли. Эту инициативу активно поддерживала Intel, связывая вероятное принятие закона с собственным намерением потратить миллиарды на строительство производственных площадок в Аризоне и Огайо.

В Техасе в конце 2022 года заканчивается действие программы стимулирования, в рамках которой предлагаются налоговые льготы на недвижимость в течение десяти лет для крупных инвестиций.

Samsung ранее сообщила, что планирует инвестиции в размере более 205 млрд долларов в течение трех лет, при этом делая производство микросхем приоритетной отраслью. Мировой дефицит полупроводников ударил по многим отраслям - от производства смартфонов и бытовой техники до автомобильной промышленности.

Samsung поставила целью к 2030 году обогнать TSMC в производстве передовых микросхем. В 2019 году она инвестировала в производство полупроводников 116 млрд долларов и через год представила первый 3-нм транзистор по архитектуре GAAFET. Производство электроники по 3-нм процессу запланировано на 2023 год.



Источник: DailyComm