Спрос на энергонезависимую память новых типов быстро растет

Компания Global Industry Analysts обнародовала прогноз по глобальному рынку энергонезависимой памяти нового поколения. Аналитики полагают, что в ближайшие годы востребованность такой продукции будет устойчиво расти.

Речь идет о таких изделиях, как FeRAM, PCM, MRAM и ReRAM. Технология FeRAM предусматривает наличие слоя сегнетоэлектрика вместо диэлектрического слоя для обеспечения энергонезависимости. Такая память обладает высоким быстродействием и фактически неограниченным количеством циклов перезаписи.

Принцип работы РСМ основан на свойстве материала носителя находиться в двух стабильных фазовых состояниях. В одном из них вещество представляет собой непроводящий аморфный материал, в другом - кристаллический проводник. Такая память может стать альтернативой NAND-flash.

Технология MRAM предусматривает хранение информации при помощи магнитных моментов. В плане быстродействия эти решения сравнимы с памятью SRAM.
ReRAM - резистивная память с произвольным доступом. Технология основана на изменении сопротивления ячейки под действием приложенного напряжения.

Развитие рынка энергонезависимой памяти нового поколения стимулируется появлением производительных мобильных устройств, внедрением облачных сервисов и созданием передовых центров обработки данных.

Согласно прогнозам, в текущем году объем отрасли составит примерно $3,6 млрд. В дальнейшем ожидается среднегодовой темп роста в сложных процентах (CAGR) около 32,6%. Таким образом, к 2026-му затраты достигнут $11,8 млрд.

В сегменте MRAM величина CAGR называется в 33,7%: к концу рассматриваемого периода расходы здесь увеличатся до $7,9 млрд. Кроме того, прогнозируется существенный рост востребованности изделий PCM (CAGR до 30,5%) и FeRAM (CAGR на уровне 27,3%).



Источник: DailyComm