SK Hynix построит новый DRAM-завод в КНР

По сообщениям китайских СМИ, компания SK Hynix, второй по величине производитель микросхем памяти после Samsung Electronics, недавно договорилась с властями городского округа Уси (провинция Цзянсу, КНР) о строительстве в этой местности своей новой фабрики по выпуску DRAM-чипов. Мощность нового предприятия, инвестиции в которое оцениваются в 8,6 млрд долларов, составит 200 тысяч полупроводниковых пластин.

Впрочем, официального подтверждения информации от SK Hynix пока не последовало, сообщает DigiTimes.

У южнокорейского чипмейкера уже есть DRAM-завод близ города Уси, который работает с 2006 года. В конце 2016-го SK Hynix сообщила о планах выделить дополнительные 950 млрд вон (853,8 млн долларов) на расширение существующих DRAM-мощностей в период с июля 2017-го по апрель 2019 года.

В настоящее время действующее предприятие SK Hynix в Уси ежемесячно выпускает около 130 тысяч полупроводниковых пластин, что составляет примерно половину от общего объема производства DRAM-продукции компании.

Стоит добавить, что в конце октября SK Hynix отчиталась о рекордно высоких финпоказателях в третьем квартале 2017 года. Операционная прибыль южнокорейского чипмейкера выросла на внушительные 415% в годовом исчислении, достигнув 3,7 трлн вон (3,28 млрд долларов США), выручка поднялась на 91%, до 8,1 трлн вон (7,2 млрд долларов), а чистая прибыль подскочила на 411%, до 3,06 трлн вон (2,72 млрд долларов).



Источник: DailyComm