SK Hynix инвестирует 175 млн долларов в новый R&D-центр

Производитель чипов памяти SK Hynix объявил об инвестировании более 200 млрд вон (около $175,2 млн) в строительство нового центра для проведения научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ в области памяти NAND flash. Лаборатория расположится в городе Ичхон (провинция Кенгидо, Южная Корея), где находится штаб-квартира компании.

Строительство нового R&D-центра высотой 15 этажей начнется в октябре 2017 года. Завершить все работы планируется к сентябрю 2019-го. Объект разместится на площади в 90 тысяч квадратных метров и создаст порядка 4 тысяч рабочих мест.

Центр будет расположен рядом со зданиями SK Hynix, в которых работают разработчики оперативной памяти. Благодаря этой близости компания надеется на усиление взаимодействия подразделений, занимающихся созданием памяти DRAM и NAND.

В 2017 году SK Hynix вложила свои предприятия около 9,6 трлн вон (8,4 млрд долларов), что на 2,6 трлн больше, чем планировалось изначально. Около 2,2 трлн вон было потрачено на строительство линии по производству флэш-памяти в южнокорейском городе Чхонджу.



По материалам The Korea Herald

Источник: DailyComm