Samsung и SK Hynix почти на 30% увеличат инвестиции в полупроводниковый бизнес

Стремясь захватить инициативу на мировом рынке флэш-памяти 3D NAND, южнокорейские чипмейкеры намерены в этом году почти на 30% увеличить инвестиции в расширение мощностей по выпуску полупроводниковой продукции. Об этом со ссылкой на данные SEMI, отраслевой ассоциации производителей полупроводникового оборудования и материалов, сообщает издание Business Korea.

Отмечается, что в 2017 году компании Samsung Electronics и SK Hynix планируются вдвоем вложить в развитие своих предприятий 14 млрд долларов США. Это на 27,3% больше в сравнении с 11 млрд долларов, которые две компании инвестировали в производство в 2016 году.

Предполагается, что Samsung Electronics выделит на расширение полупроводниковых мощностей 10 млрд долларов, увеличив ассигнования на четверть. SK Hynix ранее объявила, что планирует инвестировать в общей сложности 7 трлн вон (6,13 млрд долларов), из которых около 4 млрд долларов пойдет только на модернизацию ее заводов.

По сведениям источника, южнокорейские чипмейкеры лидируют по капзатратам в полупроводниковой отрасли. Также отмечается, что крупнейший в мире производитель микросхем Intel в этом году планирует увеличить инвестиции в свои предприятия на 67%, до 5 млрд долларов.

В то же время, у многих других производителей ожидается сокращение капитальных затрат на сотни миллионов долларов в сравнении с 2016 годом. В этом списке оказались крупнейший в мире контрактный чипмейкер TSMC, американский производитель микросхем памяти Micron и китайский полупроводниковый гигант SMIC, говорится в публикации.

Источник отмечает, что основная часть капзатрат Samsung Electronics и SK Hynix придется именно на 3D NAND. Компании также намерены постепенно наращивать продажи этой продукции и сделать ее более приоритетной, чем DRAM-микросхемы.

В настоящее время соотношение продукции типа DRAM и NAND flash у Samsung оценивается как 6/4, а у SK Hynix - как 7/3. Однако оба производителя собираются изменить показатель в пользу более прибыльной многослойной флэш-памяти 3D NAND, что позволит компаниям повысить свою рентабельность и дифференцироваться от других чипмейкеров.

Учитывая запланированные Samsung и SK Hynix вложения в производство 3D NAND, глобальные инвестиции в производство NAND flash в 2017 году должны увеличиться на 14%, с 14 млрд до 16 млрд долларов.

По оценкам экспертов SEMI, в нынешнем году южнокорейские чипмейкеры совместно будут контролировать более 70% рынка DRAM-памяти, а в сегменте NAND flash на их долю в сумме придется свыше 45%.



Источник: DailyComm