Samsung и SK Hynix почти на 30% увеличат инвестиции в полупроводниковый бизнес |
20.02.2017 10:58
Стремясь захватить инициативу на мировом рынке флэш-памяти 3D NAND, южнокорейские чипмейкеры намерены в этом году почти на 30% увеличить инвестиции в расширение мощностей по выпуску полупроводниковой продукции. Об этом со ссылкой на данные SEMI, отраслевой ассоциации производителей полупроводникового оборудования и материалов, сообщает издание Business Korea.
Отмечается, что в 2017 году компании Samsung Electronics и SK Hynix планируются вдвоем вложить в развитие своих предприятий 14 млрд долларов США. Это на 27,3% больше в сравнении с 11 млрд долларов, которые две компании инвестировали в производство в 2016 году.
Предполагается, что Samsung Electronics выделит на расширение полупроводниковых мощностей 10 млрд долларов, увеличив ассигнования на четверть. SK Hynix ранее объявила, что планирует инвестировать в общей сложности 7 трлн вон (6,13 млрд долларов), из которых около 4 млрд долларов пойдет только на модернизацию ее заводов.
По сведениям источника, южнокорейские чипмейкеры лидируют по капзатратам в полупроводниковой отрасли. Также отмечается, что крупнейший в мире производитель микросхем Intel в этом году планирует увеличить инвестиции в свои предприятия на 67%, до 5 млрд долларов.
В то же время, у многих других производителей ожидается сокращение капитальных затрат на сотни миллионов долларов в сравнении с 2016 годом. В этом списке оказались крупнейший в мире контрактный чипмейкер TSMC, американский производитель микросхем памяти Micron и китайский полупроводниковый гигант SMIC, говорится в публикации.
Источник отмечает, что основная часть капзатрат Samsung Electronics и SK Hynix придется именно на 3D NAND. Компании также намерены постепенно наращивать продажи этой продукции и сделать ее более приоритетной, чем DRAM-микросхемы.
В настоящее время соотношение продукции типа DRAM и NAND flash у Samsung оценивается как 6/4, а у SK Hynix - как 7/3. Однако оба производителя собираются изменить показатель в пользу более прибыльной многослойной флэш-памяти 3D NAND, что позволит компаниям повысить свою рентабельность и дифференцироваться от других чипмейкеров.
Учитывая запланированные Samsung и SK Hynix вложения в производство 3D NAND, глобальные инвестиции в производство NAND flash в 2017 году должны увеличиться на 14%, с 14 млрд до 16 млрд долларов.
По оценкам экспертов SEMI, в нынешнем году южнокорейские чипмейкеры совместно будут контролировать более 70% рынка DRAM-памяти, а в сегменте NAND flash на их долю в сумме придется свыше 45%.
Источник: DailyComm
Отмечается, что в 2017 году компании Samsung Electronics и SK Hynix планируются вдвоем вложить в развитие своих предприятий 14 млрд долларов США. Это на 27,3% больше в сравнении с 11 млрд долларов, которые две компании инвестировали в производство в 2016 году.
Предполагается, что Samsung Electronics выделит на расширение полупроводниковых мощностей 10 млрд долларов, увеличив ассигнования на четверть. SK Hynix ранее объявила, что планирует инвестировать в общей сложности 7 трлн вон (6,13 млрд долларов), из которых около 4 млрд долларов пойдет только на модернизацию ее заводов.
По сведениям источника, южнокорейские чипмейкеры лидируют по капзатратам в полупроводниковой отрасли. Также отмечается, что крупнейший в мире производитель микросхем Intel в этом году планирует увеличить инвестиции в свои предприятия на 67%, до 5 млрд долларов.
В то же время, у многих других производителей ожидается сокращение капитальных затрат на сотни миллионов долларов в сравнении с 2016 годом. В этом списке оказались крупнейший в мире контрактный чипмейкер TSMC, американский производитель микросхем памяти Micron и китайский полупроводниковый гигант SMIC, говорится в публикации.
Источник отмечает, что основная часть капзатрат Samsung Electronics и SK Hynix придется именно на 3D NAND. Компании также намерены постепенно наращивать продажи этой продукции и сделать ее более приоритетной, чем DRAM-микросхемы.
В настоящее время соотношение продукции типа DRAM и NAND flash у Samsung оценивается как 6/4, а у SK Hynix - как 7/3. Однако оба производителя собираются изменить показатель в пользу более прибыльной многослойной флэш-памяти 3D NAND, что позволит компаниям повысить свою рентабельность и дифференцироваться от других чипмейкеров.
Учитывая запланированные Samsung и SK Hynix вложения в производство 3D NAND, глобальные инвестиции в производство NAND flash в 2017 году должны увеличиться на 14%, с 14 млрд до 16 млрд долларов.
По оценкам экспертов SEMI, в нынешнем году южнокорейские чипмейкеры совместно будут контролировать более 70% рынка DRAM-памяти, а в сегменте NAND flash на их долю в сумме придется свыше 45%.
Источник: DailyComm
-
03.10.2024
-
27.09.2024
-
27.09.2024
-
15.09.2024
-
09.09.2024
-
09.09.2024
-
07.09.2024
-
02.09.2024
-
28.08.2024
-
20.08.2024
-
18.08.2024
-
18.08.2024
-
01.08.2024
-
14.07.2024
-
14.07.2024