SK Hynix сообщает о выпуске чипов памяти LPDDR4X DRAM объемом 8 Гбайт

Южнокорейская компания SK Hynix сообщила о начале серийного производства первых на рынке чипов памяти LPDDR4X DRAM объемом 8 Гбайт. В первую очередь они адресованы смартфонам и планшетам.

Микросхемы SK Hynix содержат по четыре кристалла плотностью 16 Гбайт, объединенных в двухканальном режиме. По сравнению с LPDDR4 новая память на 20% энергоэффективнее и занимает на 30% меньше места на печатной плате.

Размеры новой микросхемы составляют 12 х 12,7 х 1 мм. Она работает при напряжении всего 0,6 В против 1,1 В у обычной LPDDR4. При подключении к 64-разрядной шине памяти пропускная способность данных достигает 34,1 Гбайт/с.

Оперативная память LPDDR4X, которую начала производить SK Hynix, ориентирована на использование в первую очередь в мобильных устройствах. При этом она также может найти применение в дорогих ноутбуках и автомобильной электронике.

В конце 2016 года SK Hynix объявила о планах вложить 3,16 трлн вон (2,7 млрд долларов) в производство памяти. Большая часть этой суммы пойдет на строительство нового завода по выпуску чипов NAND flash в Южной Корее.



Источник: DailyComm