На рынке памяти 3D NAND усиливается конкуренция

Корпорация Samsung Electronics лидирует на мировом рынке памяти 3D NAND flash, но тандем из Intel и Micron стремительно укрепляет свои позиции. Об этом пишет издание Business Korea со ссылкой на данные исследовательской фирмы DRAMeXchange.

3D NAND - это такой тип конструкции флэш-памяти, при котором по сравнению с двумерной NAND добавляется третье измерение по вертикальной оси. Благодаря этой технологии отпала необходимость дальнейшего уплотнения ячеек, что позволило обойти литографический барьер и вернуться к использованию техпроцесса 30 или 40 нм, при этом существенно увеличивая количество ячеек. Таким образом, значительно возрастает плотность памяти и скорость работы, а энергопотребление снижается.

Samsung стала первым производителем серийной памяти 3D NAND. По данным аналитиков DRAMeXchange, в первом квартале 2016 года Intel и Micron запустили совместное массовое производство такой памяти на заводе в Сингапуре. Пока американские компании могут выпускать лишь 3 тысячи полупроводниковых пластин в месяц, однако в течение года планируется увеличение производственных мощностей до 40 тысяч пластин. Технология производства памяти 3D NAND у Intel и Micron стабилизируется быстрее, чем ожидалось, отмечают эксперты.

Samsung решила повременить со вторым этапом инвестирования в производство трехмерной флэш-памяти на заводе в китайском городе Сиань, в результате чего объем производства таких микросхем компанией будут измеряться 20-40 тысячами пластин ежемесячно. Это соответствует 9-18% в общем объеме производства памяти NAND flash у Samsung, подсчитали специалисты.

Помимо Samsung, Intel и Micron, рынком памяти 3D NAND активно занимаются Toshiba и SK Hynix. Последняя начала поставки таких чипов во второй четверти 2016 года, производя ежемесячно около 2 тысяч пластин. К четвертому кварталу SK Hynix рассчитывает нарастить производство в десять раз.

Обозреватели Business Korea говорят, что мнения некоторых аналитиков об опережении развиваемой Samsung технологии 3D NAND конкурирующих на три года не соответствуют действительности. Южнокорейский гигант решил сосредоточиться на повышении эффективности производства, а не на увеличении числа производственных объектов. Samsung стремится к тому, чтобы уже в 2017 году себестоимость производства 3D NAND была ниже, чем у продуктов 2D NAND.



Источник: DailyComm