25 мая 2024
Курсы валют по ЦБ РФ USD 89.7026 EUR 97.0954


В ИТ-отрасли объявлено о слиянии за 35 млрд долларов

Аналитики ожидают стремительный рост мирового рынка памяти 3D NAND Flash

29.03.2016 13:16

Аналитическая компания Technavio прогнозирует стремительный рост мирового рынка многослойной флэш-памяти типа 3D NAND. По оценки специалистов, в период с 2015 по 2019 годы поставки таких чипов будут в среднем увеличиваться почти на 92% в год. К концу прогнозируемого периода объемы отгрузок микросхем 3D NAND достигнут 8,78 млрд штук.

Эксперты перечислили четыре основных фактора, которые способствуют развитию мирового рынка 3D NAND flash: это растущее распространение твердотельных накопителей SSD, увеличение производственных мощностей по выпуску микросхем типа 3D NAND, внедрение этих чипов в мобильных устройствах и расширение сфер применения многослойной флэш-памяти.

Среди преимуществ 3D NAND называются возможность создания на ее основе более емких накопителей, низкое энергопотребление, компактность и высокая скорость работы. Созданные на основе этих чипов SSD-накопители более устойчивы к воздействию высоких температур, ударам и вибрации, чем традиционные жесткие диски HDD.

В связи в большим потенциалом рассматриваемого рынка ведущие чипмейкеры увеличивают инвестиции в области 3D NAND, отмечают в Technavio. В частности, в 2014 году Samsung открыла в Китае новую фабрику по выпуску таких микросхем, Toshiba инвестировала средства в японское предприятие, а Micron и Intel участвуют в совместном проекте по разработке памяти 3D NAND и организации ее контрактного производства в КНР.

Вместе с тем, эксперты DRAMeXchange утверждают, что в настоящее время Samsung является единственным производителем, наладившим выпуск памяти 3D NAND Flash в серийных масштабах. Конкурирующие вендоры хотя и разработали свои версии этой передовой технологии, но массовое производство запустят только во второй половине 2016 года.

По оценкам тайваньских аналитиков, к концу 2016 года доля 3D NAND в общемировом объеме выпускаемой флэш-памяти достигнет 20%, что станет значительным прогрессом в сравнении с показателем 2015 года, когда степень распространения данной технологии оценивалась в 6%.

Также ожидается, что в нынешнем году Samsung сохранит лидерство в сфере 3D NAND. В DRAMeXchange полагают, что почти 41% поставляемой корейским вендором флэш-памяти будет относиться к 3D NAND. Второе место по внедрению технологии займет совместное предприятие Micron и Intel: доля многослойной флэш-памяти в их продукции составит около 17,6%. У остальных чипмейкеров соотношение будет значительно ниже. Так, у SK Hynix показатель прогнозируется на уровне 3,3%, а у альянса Toshiba и Sandisk - 5,4%, говорится в исследовании.



Источник: DailyComm