Asgard представила накопители AN4 формата М.2 со скоростью до 7500 Мбайт/с |
26.07.2021 09:11

Китайская компания Asgard, производитель памяти и устройств хранения информации, анонсировала новые твердотельные накопители серии AN4. По своим скоростным характеристикам решения могут конкурировать с одними из лучших изделий в своей категории.
Накопители выполнены в формате М.2. Для обмена данными с компьютером применяется интерфейс PCIe 4.0 (спецификация NVMe 1.4), что обеспечивает очень высокую производительность.
В основу положен контроллер Innogrit IG5236 Rainier. Используются 128-слойные чипы флеш-памяти, изготовленные компанией YMTC (Yangtze Memory Technologies Co., Ltd) с использованием проприетарной технологии Xtacking 2.0. Она предполагает, что массив памяти NAND производится на одном кристалле, а цепи управления - на другом. Затем выполняется высокоточное соединение этих компонентов.
Накопители выполнены на архитектуре TLC, или Triple-Level Cell: она предусматривает хранение трех бит информации в одной ячейке. Устройства оборудованы крупным радиатором охлаждения, который, как утверждает разработчик, позволяет понизить температуру ключевых элементов на 30 градусов Цельсия по сравнению с теми же изделиями без теплоотвода.
В серию твердотельных накопителей Asgard AN4 вошли модели вместимостью 512 Гбайт, а также 1 и 2 Тбайт. Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 7500 Мбайт/с, скорость последовательной записи - 5500 Мбайт/с. Значение IOPS (операций ввода/вывода в секунду) не раскрывается.
В начале августа в продажу поступит модель емкостью 1 Тбайт. Две другие версии станут доступны несколько позднее. Устройства обеспечиваются пятилетней гарантией. Цена пока не называется.
Источник: DailyComm
Накопители выполнены в формате М.2. Для обмена данными с компьютером применяется интерфейс PCIe 4.0 (спецификация NVMe 1.4), что обеспечивает очень высокую производительность.
В основу положен контроллер Innogrit IG5236 Rainier. Используются 128-слойные чипы флеш-памяти, изготовленные компанией YMTC (Yangtze Memory Technologies Co., Ltd) с использованием проприетарной технологии Xtacking 2.0. Она предполагает, что массив памяти NAND производится на одном кристалле, а цепи управления - на другом. Затем выполняется высокоточное соединение этих компонентов.
Накопители выполнены на архитектуре TLC, или Triple-Level Cell: она предусматривает хранение трех бит информации в одной ячейке. Устройства оборудованы крупным радиатором охлаждения, который, как утверждает разработчик, позволяет понизить температуру ключевых элементов на 30 градусов Цельсия по сравнению с теми же изделиями без теплоотвода.
В серию твердотельных накопителей Asgard AN4 вошли модели вместимостью 512 Гбайт, а также 1 и 2 Тбайт. Заявленная скорость последовательного чтения информации достигает 7500 Мбайт/с, скорость последовательной записи - 5500 Мбайт/с. Значение IOPS (операций ввода/вывода в секунду) не раскрывается.
В начале августа в продажу поступит модель емкостью 1 Тбайт. Две другие версии станут доступны несколько позднее. Устройства обеспечиваются пятилетней гарантией. Цена пока не называется.
Источник: DailyComm
-
30.03.2022
-
15.03.2022
-
14.03.2022
-
11.03.2022
-
10.03.2022
-
10.03.2022
-
22.02.2022
-
21.02.2022
-
21.02.2022
-
16.02.2022
-
15.02.2022
-
14.02.2022
-
11.02.2022
-
11.02.2022
-
09.02.2022