Samsung начала выпуск накопителей eUFS емкостью 512 Гбайт

Во вторник, 5 декабря, компания Samsung Electronics анонсировала запуск серийного производства первых на рынке накопителей eUFS (embedded Universal Flash Storage) вместимостью 512 Гбайт. Они рассчитаны на смартфоны и планшеты нового поколения.

В основе новинок лежат 64-слойные чипы V-NAND емкостью 512 Гбит в количестве восьми штук. Их работу дополняют контроллер и ряд фирменных технологий Samsung, благодаря которым удалось повысить производительность и энергоэффективность решений.

Представленные флэш-модули обладают последовательным чтением данных на скорости до 860 Мбайт/с, а максимальная скорость запись информации достигает 255 Мбайт/с. Быстродействие при работе с блоками на 4 Кбайт составляет до 40 тысяч IOPS операций в режиме записи и до 42 тысяч в режиме чтения.

В Samsung отмечают, что память eUFS в 400 раз превосходит скорость в 100 операций ввода/вывода в секунду, характерную для традиционных карт microSD. Благодаря этому новые накопители южнокорейского гиганта подходят для работы с мультимедийным контентом, когда требуется высокая производительность (например, при серийной фотосъемке или записи 4K-видео).



По материалам TechPowerUP

Источник: DailyComm