Samsung начала производство новой памяти для корпоративных SSD

Южнокорейская корпорация Samsung Electronics объявила о начале серийного производства 48-слойных микросхем флэш-памяти 3D V-NAND емкостью 256 Гбит, которые найдут применение в высокопроизводительных твердотельных накопителях, используемых в компаниях и центрах обработки данных.

Новая память получила трехмерную структуру ячеек на базе технологии 3D Charge Trap Flash (CTF), благодаря чему разработчики смогли разместить на одном кристалле свыше 85,3 млрд ячеек, в каждой из которых может храниться 3 бита информации. Помимо увеличенной плотности, память 3D V-NAND характеризуется 30-процентным превосходством в части производительности и сниженного потребления энергии.

При изготовлении нового решения применялся 14-нанометровый литографический процесс, технология вертикальной компоновки BiCS (Bit Cost Scaling) и запись трех бит данных на транзистор (triple-level cell, TLC).

В компании Samsung говорят, что 256-гигабитные чипы флэш-памяти 3D V-NAND будут использоваться в корпоративных твердотельных накопителях и устройствах хранения данных в дата-центрах.



Источник: DailyComm