Intel и Micron создали ультрабыструю и долговечную память

Полупроводниковые производители Intel и Micron Technology анонсировали новую энергонезависимую память 3D XPoint, которая в разы быстрее и долговечнее по сравнению с чипами NAND flash, используемыми в смартфонах и планшетах.

Как сообщается в совместном пресс-релизе Intel и Micron, в случае с 3D XPoint компании изобрели уникальный материал соединения и новую архитектуру, которая позволяет создавать структуру в 10 раз плотнее по сравнению с обычной флэш-памятью.

Новинка не является разновидностью NAND или DRAM, а представляет собой совершенно новый сегмент. Работа памяти основывается на 3D-архитектуре, в качестве переключателя больше не используются транзисторы, а для хранения накопленных данных не применяется электрический заряд, поэтому память волатильна и служит для беспрерывного хранения информации.

Первое поколение памяти 3D XPoint выпускается в виде 128-Гбит микросхем с двухуровневой структурой, где каждый слой имеет емкость 64 Гбит. Техпроцесс не уточняется.

3D XPoint примерно в 1000 раз быстрее и имеет в 1000 раз более длительный срок службы по сравнению с памятью NAND. Новая память позволит значительно продвинуть технологичную индустрию вперед, уверены разработчики.

Появление первых готовых образцов памяти 3D XPoint ожидается в 2016 году.



Источник: DailyComm