SK Hynix разработала самую быструю мобильную оперативную память

Южнокорейский чипмейкер SK Hynix объявил о разработке самой быстрой мобильной динамической оперативной памяти (Dynamic Random Access Memory, DRAM). По данным компании, скорость работы созданных микросхем примерно в четыре раза выше по сравнению с существующими решениями Low Power DDR4 (LPDDR4).

Издание Yonhap со ссылкой на заявление SK Hynix называет новую технологию "Wide IO2 mobile DRAM". Использующие ее 8-гигабитные чипы изготовлены на базе 20-нм техпроцесса и могут похвалиться скоростью передачи данных в 51,2 Гбайт/с против 12,8 Гбайт/с у LPDDR4. Новая память, предназначенная для смартфонов и планшетов, является двухканальной с суммарной шириной 512 бит.

Технология Wide IO2 позволяет выпускать модули памяти объемом до 32 Гбайт. Напряжение питания определено равным 1,1 В (как у LPDDR4).

Первые образцы новой мобильной "оперативки" SK Hynix уже поставляет крупным заказчикам и производителям однокристальных систем. Серийное производство Wide IO2 намечено на вторую половину 2015 года. Смартфоны, использующие новые модули ОЗУ, скорее всего, будут доступны на рынке в 2016 году.

Стоит отметить, что память LPDDR4 еще не используется на коммерческом рынке смартфонов и ориентировочно появится там во второй половине будущего года.



Источник: DailyComm