Samsung начнет производство 40-нм чипов памяти

Казалось, совсем недавно компания Samsung представила чипы памяти, выполненные по 50-нанометровому техпроцессу. Однако сегодня инженеры представили микросхемы DRAM с применением уже 40-нм технологии, которая позволяет потреблять на 30% меньше энергии по сравнению с предыдущими аналогами.

Производитель продемонстрировал 40-нм образцы DDR2 объемом 1 Гб, а также модули DDR2-800 объемом 1 Гб. Эти модули прошли сертификацию использования в чипсетах Intel GM45 Express для портативных компьютеров.

Начать масштабное производство чипов памяти DRAM по 40-нанометровой методике Samsung планирует в конце текущего года.



По материалам SlashGear

Источник: DailyComm