18 января 2020
Курсы валют по ЦБ РФ USD 61.5333 EUR 68.5358


Samsung вложит еще $8 млрд в свой китайский завод

13.12.2019 11:25

По данным корейских и китайских СМИ, Samsung Electronics планирует выделить дополнительные 8 млрд долларов на расширение производства флэш-памяти на своем заводе в китайском городе Сиане.

С помощью инвестиций южнокорейский гигант рассчитывает еще больше укрепиться на мировом рынке чипов NAND flash. Ожидается, что спрос на них в следующем году вырастет на фоне набирающего обороты коммерческого внедрения 5G и выхода новых устройств с поддержкой передового стандарта.

Обозреватели Business Korea отмечают, что это уже второй раунд инвестиций в данное предприятие. В августе 2017-го Samsung объявила о намерении вложить в него 7 млрд долларов в следующие три года. В соответствии с графиком, инвестиционный план будет реализован в марте 2020-го. Прошлые и новые вложения позволят довести мощность предприятия Samsung, специализирующегося на чипах 3D NAND flash, до 130 тыс. единиц продукции в месяц.

В агентстве "Рейтер" напомнили, что ранее компания также инвестировала 10,8 млрд долларов в свой другой завод в Сиане, занятый тестированием и сборкой микросхем.

Samsung Electronics - крупнейший в мире производитель флэш-памяти. По данным TrendForce, в третьем квартале 2019 года компания увеличила продажи этой продукции на 5,9% по сравнению с предыдущей четвертью, выручив 3,99 млрд долларов. Учитывая, что весь объем рынка в деньгах аналитики оценили в 11,9 млрд долларов, рыночная доля Samsung составила 33,5%. Для сравнения, вклад ближайшего преследователя - компании Kioxia (прежнее название Toshiba Memory) - составил 2,2 млрд долларов или 18,7%.

Среди других основных конкурентов Samsung на рассматриваемом рынке аналитики называют компании Western Digital, Micron, Intel и SK Hynix. В будущем к этому списку могут добавиться китайские чипмейкеры, которые постепенно развивают производство флэш-памяти при поддержке властей своей страны. В частности, компания Yangtze Memory Technologies уже выпускает 64-слойные микросхемы NAND flash в объеме 5 тысяч полупроводниковых пластин в месяц. В планах компании - увеличить этот показатель до 60 тысяч полупроводниковых пластин в месяц к концу 2020 года. Также Yangtze Memory собирается в следующем году начать выпуск более передовых 128-слойных чипов NAND flash.

Между тем, аналитики IC Insights прогнозируют, что после коллапса, который ожидается в сегменте микросхем памяти в 2019 году, чипы NAND flash в 2020-м снова станут самой быстрорастущей категорией на мировом рынке интегральных схем. По оценкам экспертов, в этом году продажи NAND flash упадут на 27%, а в следующем - увеличатся на 19%.



Источник: DailyComm