Samsung и Toshiba разрабатывают самую быструю память NAND Flash

Южнокорейская и японская компании Samsung Electronics и Toshiba отложили на время свои разногласия и патентные споры и приступили к совместной разработке асинхронной флеш-памяти DDR NAND, использующей спецификации DDR2. За счет применения новых технологий удалось добиться пропускной способности памяти в 400 Мбит/с - абсолютный рекорд скорости на современном рынке.

Переход с DDR1 NAND, использующей канал 133 Мбит/с, на более продвинутую память, обусловлен растущим спросом на мобильные устройства, потребительскую электронику и передовые системы хранения данных. Компании намерены поддерживать новые стандарты, чтобы ускорить процесс широкого принятия флеш-памяти NAND.

"Технологии DDR предлагают более скоростной интерфейс передачи данных по сравнению с традиционной NAND. Успех гарантирован во многих сегментах рынка, включая твердотельные накопители, корпоративные системы хранения, мобильные телефоны, мультимедийные терминалы и потребительскую продукцию", - говорит Масаки Момодоми (Masaki Momodomi,), руководитель технического отдела памяти в Toshiba. "Мы приложим максимум усилий, чтобы создать продукты на основе высокоскоростного интерфейса для наших клиентов и поставщиков. Это позволит ускорить революцию в сфере устройств хранения".

В настоящее время Samsung и Toshiba находятся на пути стандартизации технологии DDR2 NAND через отраслевую организацию JEDEC Solid State Technology Association.



По материалам Softpedia

Источник: DailyComm