В 2016 году появятся смартфоны с 6 Гбайт оперативной памяти

В среду, 9 сентября, южнокорейская корпорация Samsung Electronics анонсировала начало массового производства первого на рынке чипа памяти LPDDR4 DRAM плотностью 12 Гбит. Новинка предназначена для мобильных устройств, но может найти применение и в другой электронике.

Новые микросхемы памяти могут быть упакованы в количестве двух или четырех штук в одном корпусе, в результате чего получаются модули объемом 3 и 6 Гбайт соответственно. Их размер соответствует габаритам 3-гигабайтной памяти, которая сейчас используется во многих смартфонах высокого уровня.

Чипы мобильной памяти LPDDR4 DRAM плотностью 12 Гбит, которые встали на производственные конвейеры Samsung, поддерживают передачу данных на скорости 4266 Мбит/с в расчете на вывод, что на 30% выше, чем у памяти LPDDR4, состоящей из компонентов плотностью 8 Гбит, а также вдвое быстрее по сравнению с памятью DDR4-2133 для персональных компьютеров. При этом новинка имеет 20-процентное превосходство в части низкого потребления энергии.

Согласно заявлению Samsung, 6-гигабайтную память LPDDR4 получат флагманские мобильные устройства следующего поколения. Их выход ожидается в 2016 году. Кроме того, новые чипы могут найти применение в другой электронике - компьютерной, бытовой и автомобильной.



Источник: DailyComm