Intel и Micron создали 20-нм чип флеш-памяти плотностью 128 Гбит

07.12.2011 10:59

Совместными усилиями компании Intel и Micron создали первый в мире чип флеш-памяти типа MLC NAND плотностью 128 Гбит, изготовленный по 20-нм нормам. Об этом стало известно из пресс-релиза, опубликованного на официальном сайте Micron. Там же сообщается, что американские партнеры начинают серийное производство 20-нанометровой флэш-памяти типа NAND плотностью 64 Гбит.

Разработка микросхемы памяти плотностью 128 Гбит позволяет разместить на одном монолитном чипе с восемью ядрами один терабит информации. Этот чип соответствует спецификации ONFI 3.0, поддерживая скорость до 333 миллионов транзакций в секунду. Областями применения новой памяти названы планшеты, смартфоны и твердотельные накопители большой емкости. Первые образцы 128-гигабитных микросхем будут доступны в январе 2012 года. Серийный выпуск намечен на первую половину того же года.

Intel и Micron осуществляют совместную деятельность в рамках предприятия IM Flash Technologies, которое создано в январе 2006 году и которое располагает двумя фабриками - в США и Сингапуре. Компания является лидером на рынке флэш-памяти в аспекте используемых технологических норм.



Источник: DailyComm


    Добавить комментарий