Elpida разработала первую на рынке 25-нм DRAM-память

Японская компания Elpida Memory разработала, как она утверждает, первую на рынке DRAM-память, изготовленную по 25-нанометровому производственному процессу. Представленные 2-гигабитные модели DDR3 SDRAM потребляют на треть меньше энергии по сравнению с 30-нанометровыми аналогами. Более того, новая память имеет на 15% меньший ток потребления в активном режиме и на 20% меньший - в режиме ожидания. Наконец, создание более "тонкой" памяти позволяет повысить эффективность производства - из стандартной кремниевой 300-мм подложки можно изготовить на 30% больше чипов.

25-нм память DDR3 SDRAM может поддерживать скорость 1866 Мбит/с при напряжении питания 1,5 Вт. При понижении последнего показателя до 1,35 Вт скорость снижается до 1600 Мбит/с. По словам разработчиков, новая память способна работать в температурном диапазоне 0-90 градусов по Цельсию.

Серийное производство 2-гигабитной памяти DDR3 SDRAM, выполненной по 25-нм нормам, стартует в июле 2011 года. К концу года появятся 4-гигабитные модули. Позднее Elpida собирается перенести 25-нм техпроцесс на оперативную память типа Mobile RAM, предназначенную для мобильных устройств.



По материалам EETimes

Источник: DailyComm