Hynix анонсирует 2-гигабайтные модули DDR3 на базе техпроцесса 40 нм

Компания Hynix Semiconductor объявила о том, что ее 2-гигабайтные модули DDR3-памяти, созданные на базе техпроцесса 40нм, прошли валидацию Intel, что позволит начать их массовое производство уже в самое ближайшее время.

Главной особенностью нового продукта называется повышенная производительность. DDR3-модуль на базе техпроцесса 40нм работает, по словам представителей Hynix, на 60% продуктивней, чем аналогичный модуль на базе техпроцесса 50 нм. Кроме того, такие чипы потребляют меньше электроэнергии - на 40% меньше, чем модули на базе техпроцесса 50 нм, и практически вдвое меньше, чем в среднем по продукции, представленной на рынке.

Также представители Hynix отмечают, что в последнее время все больше производителей переходят на использование именно 2-гигабайтных чипов вместо 1-гигабайтных, особенно в сегменте серверов. Это позволяет увеличить производительность систем при сокращении затрат.



По материалам DigiTimes

Источник: DailyComm