На рынке флэш-памяти ожидается всплеск производства

Компании Samsung Electronics, Toshiba, Micron Technology и SK Hynix собираются расширить свои мощности по производству памяти NAND flash, в результате чего выпуск этих микросхем в 2019 году увеличится, сообщает тайваньский информационный портал DigiTimes со ссылкой на отраслевые источники.

В опубликованном в январе 2018 года отчете аналитики DRAMeXchange предупреждали о возможном переизбытке флэш-памяти в 2019 году в связи с реализацией проектов по наращиванию производства ведущими вендорами.

В августе 2017 года Samsung раскрыла планы по созданию на северо-западе Китая фабрики по изготовлению памяти NAND flash в течение трех лет. Запустить объект, в который инвестируется 7 млрд долларов, южнокорейская компания намеревается в 2019 году.

Примерно в эти же сроки Toshiba хочет вести в эксплуатацию предприятие Fab 6 в Мие (Япония). Там наладят производство микросхем 3D NAND flash.

Кроме того, японская корпорация выбрала место под строительство Fab 7 - префектура Ивате (Япония). Аналитики DRAMeXchange ожидают, что этот объект сможет начать массовое производство флэш-памяти во втором полугодии 2019 году, а основными продуктами, выпускаемыми на Fab 7, станут 96-слойные чипы, в том числе трехмерные.

Micron Technology строит в Сингапуре новый завод, который дополнит расположенное там предприятие, а SK Hynix создает фабрику под обозначением M15 в Южной Корее. Оба проекта будут реализованы в 2019 году.



Источник: DailyComm