Samsung выпустила мобильную DRAM-память на 8 Гбайт

Корпорация Samsung Electronics объявила о выпуске, как она утверждает, первого на рынке модуля оперативной памяти LPDDR4 DRAM объемом 8 Гбайт. Такие решения предназначены для флагманских смартфонов и планшетов.

Анонсированный модуль включает четыре чипа плотностью 16 Гбит, которые выпускаются по техпроцессу 10-нанометрового класса. Благодаря использованию "тонкого" техпроцесса производителю удалось сохранить энергопотребление на уровне 20-нм DRAM-решений на 4 Гбайт.

Скорость передачи данных в 8-гигабайтном модуле Samsung достигает 4266 Мбит/с на контакт, что в два раза быстрее DDR4 DRAM для ПК, которые обычно работают со скоростью 2133 Мбит/с. При использовании 64-битной шины памяти скорость передачи данных достигнет более 34 Гбит/с.

Размеры изделия составляют 15 х 15 х 1 мм. Допускается интеграция модуля с UFS-памятью или мобильными однокристальными системами.

Новинка предназначена для использования в различных приложениях с высокими требованиями к памяти (например, просмотр видео в формате Ultra HD на мобильных устройствах с большими экранами). На данный момент нет информации о том, когда 8-гигабайтные модули памяти появятся в смартфонах или планшетах.



Источник: DailyComm