Начато серийное производство первых 10-нм чипов

Компания Samsung Electronics приступила к массовому производству 10-нм полупроводниковой продукции. Южнокорейский гигант утверждает, что он первым сделал это на рынке.

Серийное изготовление 10-нм микросхем осуществляется по технологии FinFET. Первые устройства на базе этих чипов появятся на рынке в начале 2017 года, однако о массовой доступности такой электроники можно будет говорить не ранее второго полугодия.

10-нм производственный процесс предусматривает использование транзисторов с передовой 3D-структурой. Такие чипы отличаются на 40% сниженным энергопотреблением и на 27% увеличенной производительностью по сравнению с 14-нм решениями. Кроме того, новая технология позволяет увеличить выпуск микросхем на 30% в расчете на одну кремниевую пластину.

Стоит отметить, что компания TSMC ранее обещала начать выпуск продукции с использованием 7-нм технологического процесса в начале 2018 года. Ожидается, что Samsung, следуя примеру своего конкурента, поступит аналогичным образом.

По данным издания Electronic Times, компания Samsung станет единственным подрядчиком по производству мощных однокристальных систем Qualcomm Snapdragon 830 с применением 10-нм технологического процесса. Процессоры будут использованы в смартфонах Galaxy S8.



Источник: DailyComm