Samsung наращивает производственные мощности по выпуску микросхем памяти

Samsung Electronics продолжает наращивать производственные мощности по выпуску микросхем памяти. Возводимые компанией новые предприятия помогут укрепить ее доминирующие позиции на рынке чипов DRAM и NAND flash, считают отраслевые обозреватели, мнение которых приводится в публикации Business Korea.

В 2014 году Samsung начала строительство фабрики в городе Пхёнтхэк, примерно в 75 км к югу от Сеула. Запланированный объем инвестиций в этот завод, который планируется ввести в эксплуатацию в 2017 году, составляет 15,6 трлн вон (14,4 млрд долларов США). В настоящее время это самый крупный с точки зрения вложений проект во всем полупроводниковом бизнесе Samsung Electronics.

На новом предприятии сможет разместиться до пяти производственных линий по выпуску чипов. Фабрика будет специализироваться на микросхемах типа DRAM. Объемы производства будут зависеть от состояния рынка на момент запуска.

По данным DRAMeXchange, в заключительном квартале 2014 года Samsung контролировала 41,4% мирового рынка DRAM-памяти. Если компания увеличит поставки чипов на 10%, объемы отгрузок в мире поднимутся примерно на 4%.

Между тем, Samsung также планирует добавить две дополнительные линии по выпуску флэш-памяти на своем предприятии в китайском городе Сиане. Отраслевые эксперты полагают, что южнокорейский гигант сконцентрирует внимание на производстве чипов с использованием передовой технологии 3D V-NAND. С введением новых мощностей объем выпуска продукции на заводе увеличится с 40 до 300 тысяч полупроводниковых пластин в месяц.



По материалам Business Korea

Источник: DailyComm