Первый готовый чипсет, произведённый по 44-нанометровой технологии

Южнокорейская компания Hynix Semiconductor анонсировала успешное завершение разработки 1 Гбит чипа DDR3, построенного с применением 44-нм технологии. Утверждается, что продукт с подобным сочетанием характеристик - первый в мире, а его производительность по сравнению с прежними, 54-нм чипами, возросла на 50%.

Разработка Hynix, по заявлению ее создателей, отвечает требованиям Intel, однако, это необходимо будет подтвердить в процессе получения соответствующей сертификации.

Серийное производство первых 44-нм чипов DDR3 RAM начнется летом. Hynix не описывает детально свой новый продукт, хотя указывает, что емкость существующих модулей RAM ограничена 4 ГБ, а их стоимость получается довольно высокой из-за большого числа индивидуальных чипов памяти.

Новые модули Hynix 1Гбит DDR3 DRAM обеспечивают максимальную скорость передачи данных в 2133 Мбит/с, с возможностью работы в широком диапазоне питающих напряжений. Отмечается, что благодаря применению технологии "трехмерных транзисторов" удалось добиться снижению токов утечки и уменьшению общего уровня энергопотребления. Компания надеется, что сочетание высокой производительности и небольшого потребления обеспечит новой продукции возможность применения во множестве приложений, включая буферные схемы устройств хранения, модули памяти для мобильных устройств и память для видеокарт.



Источник: DailyComm