Ферроэлектрическая память наибольшей плотности и скорости от Toshiba

09.02.2009 11:56

Разработки ферроэлектрической памяти наибольшей плотности начались еще в 2001 году. Пионерами стали компании Toshiba и Infineon, которые через 2 года представили первый 32-мегабайтный чип.

Новинка, получившая название FeRAM, представляет собой энергонезависимую память, сочетающую скорость DRAM и SRAM со способностью флэш-памяти хранить данные без энергопитания. Среди других достоинств FeRAM - низкое потребление энергии и большой запас по количеству циклов чтения-записи. Это делает её пригодной для широкого ряда применений - от смарт-карт до мобильной техники.

Сегодня компания Toshiba анонсировала первый 128-Мбитный модуль FeRAM, работающий на скорости 1.6 Гб/сек, что является рекордным показателем по плотности и скорости.

Более детальная информация будет известна на Международной конференции ISSCC2009.



По материалам AkihabaraNews

Источник: DailyComm


    Добавить комментарий