Toshiba поможет в создании смартфонов с объемом памяти 128 Гб

Японская компания Toshiba анонсировала создание первого опытного образца памяти NAND Flash, изготовленного на основе 19-нм технологического процесса. Флеш-чипы с двумя битами (MLC) на ячейку имеют емкость 8 Гб (64 Гбит) и крайне малые размеры, что, по словам разработчиков, позволит создавать мобильные устройства со встроенными накопителями объемом до 128 Гб. Toshiba обещает установку до 16 чипов в один стек, сообщается в официальном пресс-релизе.

Новая память оборудована последовательным асинхронным интерфейсом Toggle DDR 2.0, позволяющим передавать данные на скорости до 400 Мбит/с. Позже с применением 19-нм норм производитель планирует выпустить память с трёхбитовой ячейкой.

Toshiba говорит, что серийное производство 19-нм памяти стартует летом 2011 года. До конца года также могут появиться первые мобильные устройства со 128 Гб встроенной памяти от Toshiba.

Следует отметить, что накануне компании Intel и Micron представили 20-нанометровый технологический процесс производства флеш-памяти. Тогда сообщалось, что 8-гигабайтная микросхема памяти, произведенная по 20-нм нормам, имеет площадь всего в 118 квадратных миллиметров и занимает от 30 до 40 процентов меньше места на печатной плате по сравнению с 25-нанометровой микросхемой того же объема.



Источник: DailyComm