12 декабря 2019
Курсы валют по ЦБ РФ USD 63.2257 EUR 70.4271

Samsung представляет 8-гигабайтные модули памяти на основе технологии 3D TSV

07.12.2010 13:36

Компания Samsung Electronics разработала новейшие модули оперативной памяти DDR3 RDIMM, в основу которых легла технология 3D TSV. Предназначенные для серверов микросхемы имеют объем 8 Гб, они на 70% быстрее и на 40% экономичнее по потреблению в сравнении с традиционной памятью.

Технология межслойных соединений Through-Silicon Via (TSV) является ключом к дальнейшему повышению степени интеграции микросхем. Применение TSV позволяет объединить в одно целое несколько полупроводниковых кристаллов, расположенных друг поверх друга. На данный момент внедрение этой критически важной для дальнейшего развития полупроводниковых изделий технологии сдерживается отсутствием комплексных решений, предлагаемых производителями оборудования, которые могли бы проложить дорогу TSV в серийное производство.

Скомпонованная по 40-нм нормам память на основе 3D TSV может работать на частоте 1333 Мбит/с и будет использоваться в хранилищах корпоративного класса, отметил Чанг Хюн Ким (Chang-Hyun Kim), старший вице-президент по продуктам памяти в компании Samsung. По его словам, модули памяти успешно протестированы основными клиентами.

Компания ожидает серийное распространение технологии 3D TSV в 2012 году.



По материалам DigiTimes

Источник: DailyComm


    Добавить комментарий
Обзор HP Device as a Service
Комплексное решение, объединяющее оборудование, информативную аналитику, средства упреждающего управления и услуги управления жизненным циклом устройств, призвано оптимизировать ИТ-активы Заказчиков.